您好!歡迎訪問東莞市矽思電子科技有限公司官方網站
4公司動態
您的位置:首頁  ->  公司動態

帶您了解一下離子源的應用


① 離子摻雜與離子束改性
  從20世紀60年代開始,人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中,形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制;摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節,用離子注入法取代舊的擴散等工藝在有些器件中已成為必然趨勢。
  離子注入在金屬材料的改性中獲得的結果十分引人注目。在常用金屬的離子注入改性中,可以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗疲勞強度,降低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、有機材料經離子束照射以后,性質發生重要的變化,獲得新的用途。
  離子束照射和摻雜的過程是非熱平衡過程,因此用這種方法可以獲得用一般冶金和化工方法無法得到的新材料。能量較低(50~400keV)的專門用于離子注入的小型加速器"離子注入機",已成為一種專門設備,體積相當于一臺電子顯微鏡或高壓示波器,使用維護都很方便。在類金剛石材料、高溫超導材料、磁性材料、感光材料等的研究中,已廣泛應用離子束,一門新興的冶金學──"離子注入冶金學"正在形成。
② 離子束分析
  具有一定能量的離子與物質相互作用會使其發射電子、光子、X 射線等,還可能發生彈性散射、非彈性散射以及核反應,產生反彈離子、反沖核、γ 射線、氫核、氚核、 粒子等核反應產物,可以提供有關該物質的組分、結構和狀態等信息。利用這些信息來分析樣品統稱離子束分析。在離子束分析方法中,比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應分析和溝道效應(見溝道效應和阻塞效應)與其他分析相結合的分析方法等。此外,利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級離子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜(加速器質譜)、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在發展中。用于離子束分析的MV級加速器已有專門的商業化設備。
[返回]   
下一篇:無
東莞市矽思電子科技有限公司 版權所有 Copyright 2017 [Bmap] [Gmap] 技術支持:東莞網站建設 [后臺管理]
地址:廣東省東莞市南城區莞太路8號中興大廈 【粵ICP備17032023號】 訪問量: 百度統計
關閉
點擊這里給我發消息
a国产欧美亚洲国产在线_免费国产在线精品一区_新国产在热线精品视频99_老司机午夜福利视频免费播放